Browsing by Author "Fatima Zohra KHELIFATI"

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    ÉTUDE DES CONDITIONS DE POLARISATION SUR LES PROPRIÉTÉS ÉLECTRIQUES D’UN MESFET GaAs
    (2010) Fatima Zohra KHELIFATI
    Le phénomène de la dispersion fréquentielle de la conductance de sortie constitue une limitation sérieuse pour le développement des circuits intégrés analogique et digitale. C’est dans ce contexte que nous avons mené une étude des variations fréquentielles de la conductance de sortie d’un transistor à effet de champ à grille Schottky à base d’arséniure de galium, MESFET GaAs de type commerciale dans la gamme de fréquence [0.01-100 KHz]. L’étude a été effectuée en régime ohmique pour Vgs = 0 V et faibles valeurs de Vds (0. 1 V, 0.3 V) et en régime de saturation pour Vds constant et égale à 1 V et différentes valeurs de tension grille-source Vgs (- 0.2 V, - 0.3 V, - 0.35 V, - 0.4 V, - 0.45 V & - 0.6 V). En régime ohmique, nous avons trouvé que la dispersion fréquentielle de la conductance de sortie est pratiquement négligeable. Les valeurs de gd diminuent avec l’augmentation de la tension drain-source. De plus, la dispersion fréquentielle est beaucoup plus importante en régime de saturation. L’influence de la température a été étudiée via une confrontation des résultats expérimentaux et ceux théoriques. A température ambiante, nous avons relevé une nette différence entre les deux. Cependant, pour une température que nous avons définie comme étant celle de fonctionnement du transistor, l’accord devient parfait. Cette température varie linéairement avec Vgs, l’augmentation de |Vgs| induit sa décroissance.
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    Étude des effets thermiques dans les MESFETs via gd(f)
    (2015) Fatima Zohra KHELIFATI
    Ce travail s’intéresse aux effets thermiques dans les transistors à effet de champ, MESFET via les variations fréquentielles de la conductance de sortie (module & phase). Nos investigations sont basées particulièrement sur la comparaison des résultats expérimentaux à ceux calculés à partir du modèle de Canfield et al. Pour le module, une divergence considérable entre les résultats expérimentaux et théoriques a été relevée à température ambiante, T = 300 K. Cette divergence a été quantifiée et elle a été utilisée pour déterminer la température de fonctionnement du composant. Nous avons montré que cette dernière varie linéairement avec la polarisation grille-source. Pour la phase de gd, la différence relevée entre les valeurs calculées et celles mesurés persiste quelque soit la température. De même, nous avons trouvé que cette différence est liée aux conditions de polarisation de la grille. Ainsi, nous avons proposé un modèle qui permet de rendre compte des variations du module et de la phase de gd en fonction de la fréquence, la température et de la polarisation grille-source, Vgs. Enfin, aussi bien les discussions que l’étude de la validité du modèle proposé montrent un bon accord entre les résultats expérimentaux et théoriques.