ÉTUDE DES CONDITIONS DE POLARISATION SUR LES PROPRIÉTÉS ÉLECTRIQUES D’UN MESFET GaAs
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Date
2010
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Abstract
Le phénomène de la dispersion fréquentielle de la conductance de sortie constitue une
limitation sérieuse pour le développement des circuits intégrés analogique et digitale. C’est
dans ce contexte que nous avons mené une étude des variations fréquentielles de la
conductance de sortie d’un transistor à effet de champ à grille Schottky à base d’arséniure de
galium, MESFET GaAs de type commerciale dans la gamme de fréquence [0.01-100 KHz].
L’étude a été effectuée en régime ohmique pour Vgs = 0 V et faibles valeurs de Vds (0. 1 V, 0.3
V) et en régime de saturation pour Vds constant et égale à 1 V et différentes valeurs de tension
grille-source Vgs (- 0.2 V, - 0.3 V, - 0.35 V, - 0.4 V, - 0.45 V & - 0.6 V). En régime ohmique,
nous avons trouvé que la dispersion fréquentielle de la conductance de sortie est pratiquement
négligeable. Les valeurs de gd diminuent avec l’augmentation de la tension drain-source. De
plus, la dispersion fréquentielle est beaucoup plus importante en régime de saturation.
L’influence de la température a été étudiée via une confrontation des résultats expérimentaux
et ceux théoriques. A température ambiante, nous avons relevé une nette différence entre les
deux. Cependant, pour une température que nous avons définie comme étant celle de
fonctionnement du transistor, l’accord devient parfait. Cette température varie linéairement
avec Vgs, l’augmentation de |Vgs| induit sa décroissance.