ÉTUDE DES CONDITIONS DE POLARISATION SUR LES PROPRIÉTÉS ÉLECTRIQUES D’UN MESFET GaAs
| dc.contributor.author | Fatima Zohra KHELIFATI | |
| dc.date.accessioned | 2023-03-05T10:30:43Z | |
| dc.date.available | 2023-03-05T10:30:43Z | |
| dc.date.issued | 2010 | |
| dc.description.abstract | Le phénomène de la dispersion fréquentielle de la conductance de sortie constitue une limitation sérieuse pour le développement des circuits intégrés analogique et digitale. C’est dans ce contexte que nous avons mené une étude des variations fréquentielles de la conductance de sortie d’un transistor à effet de champ à grille Schottky à base d’arséniure de galium, MESFET GaAs de type commerciale dans la gamme de fréquence [0.01-100 KHz]. L’étude a été effectuée en régime ohmique pour Vgs = 0 V et faibles valeurs de Vds (0. 1 V, 0.3 V) et en régime de saturation pour Vds constant et égale à 1 V et différentes valeurs de tension grille-source Vgs (- 0.2 V, - 0.3 V, - 0.35 V, - 0.4 V, - 0.45 V & - 0.6 V). En régime ohmique, nous avons trouvé que la dispersion fréquentielle de la conductance de sortie est pratiquement négligeable. Les valeurs de gd diminuent avec l’augmentation de la tension drain-source. De plus, la dispersion fréquentielle est beaucoup plus importante en régime de saturation. L’influence de la température a été étudiée via une confrontation des résultats expérimentaux et ceux théoriques. A température ambiante, nous avons relevé une nette différence entre les deux. Cependant, pour une température que nous avons définie comme étant celle de fonctionnement du transistor, l’accord devient parfait. Cette température varie linéairement avec Vgs, l’augmentation de |Vgs| induit sa décroissance. | |
| dc.identifier.uri | https://dspace.univ-annaba.dz//handle/123456789/2178 | |
| dc.language.iso | fr | |
| dc.title | ÉTUDE DES CONDITIONS DE POLARISATION SUR LES PROPRIÉTÉS ÉLECTRIQUES D’UN MESFET GaAs | |
| dc.type | Thesis | |
| dspace.entity.type |