Étude des effets thermiques dans les MESFETs via gd(f)
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Date
2015
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Abstract
Ce travail s’intéresse aux effets thermiques dans les transistors à effet de champ, MESFET via
les variations fréquentielles de la conductance de sortie (module & phase). Nos investigations
sont basées particulièrement sur la comparaison des résultats expérimentaux à ceux calculés à
partir du modèle de Canfield et al. Pour le module, une divergence considérable entre les
résultats expérimentaux et théoriques a été relevée à température ambiante, T = 300 K. Cette
divergence a été quantifiée et elle a été utilisée pour déterminer la température de
fonctionnement du composant. Nous avons montré que cette dernière varie linéairement avec
la polarisation grille-source. Pour la phase de gd, la différence relevée entre les valeurs
calculées et celles mesurés persiste quelque soit la température. De même, nous avons trouvé
que cette différence est liée aux conditions de polarisation de la grille. Ainsi, nous avons
proposé un modèle qui permet de rendre compte des variations du module et de la phase de gd
en fonction de la fréquence, la température et de la polarisation grille-source, Vgs. Enfin, aussi
bien les discussions que l’étude de la validité du modèle proposé montrent un bon accord
entre les résultats expérimentaux et théoriques.