Micro-caractérisation de matériaux et composants via les dispersions fréquentielles
No Thumbnail Available
Date
2017
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Abstract
Ce travail traite la dispersion fréquentielle des paramètres de sortie en l’occurrence: la
capacité et la réactance, dans les MESFETs GaAs. Le concept de permittivité diélectrique
complexe a été utilisé pour proposer un modèle qui tient compte des pertes de conduction en
fonction de la fréquence dans les matériaux semi-conducteurs. Nous avons montré que le
maximum de dispersion se produit autour des fréquences de relaxation dans les zones
dépeuplées à la région d’interface. Ainsi, une relation importante qui exprime la fréquence de
réponse des pièges en fonction de la conductance du canal et des fréquences de relaxation
diélectrique a été établie. La validation de notre modèle a été accomplie par une comparaison
avec des résultats expérimentaux. Dans le deuxième volet, nous avons étudié l’influence des
caractéristiques du substrat compensé sur la dispersion fréquentielle des paramètres de sortie
notamment la réactance, la capacité et la conductance de sortie. Nous avons eu recours à la
simulation via le logiciel ATLAS de Silvaco en considérant deux types de pièges: lents et
rapides. L’analyse des résultats montre que les pertes de conduction, conditionnées par la
conductivité du substrat, affectent d’une manière directe les valeurs des paramètres du
transistor ainsi que la fréquence de réponse des pièges.