Micro-caractérisation de matériaux et composants via les dispersions fréquentielles
| dc.contributor.author | Djamila NEBTI | |
| dc.date.accessioned | 2023-03-02T08:43:02Z | |
| dc.date.available | 2023-03-02T08:43:02Z | |
| dc.date.issued | 2017 | |
| dc.description.abstract | Ce travail traite la dispersion fréquentielle des paramètres de sortie en l’occurrence: la capacité et la réactance, dans les MESFETs GaAs. Le concept de permittivité diélectrique complexe a été utilisé pour proposer un modèle qui tient compte des pertes de conduction en fonction de la fréquence dans les matériaux semi-conducteurs. Nous avons montré que le maximum de dispersion se produit autour des fréquences de relaxation dans les zones dépeuplées à la région d’interface. Ainsi, une relation importante qui exprime la fréquence de réponse des pièges en fonction de la conductance du canal et des fréquences de relaxation diélectrique a été établie. La validation de notre modèle a été accomplie par une comparaison avec des résultats expérimentaux. Dans le deuxième volet, nous avons étudié l’influence des caractéristiques du substrat compensé sur la dispersion fréquentielle des paramètres de sortie notamment la réactance, la capacité et la conductance de sortie. Nous avons eu recours à la simulation via le logiciel ATLAS de Silvaco en considérant deux types de pièges: lents et rapides. L’analyse des résultats montre que les pertes de conduction, conditionnées par la conductivité du substrat, affectent d’une manière directe les valeurs des paramètres du transistor ainsi que la fréquence de réponse des pièges. | |
| dc.identifier.uri | https://dspace.univ-annaba.dz//handle/123456789/2137 | |
| dc.language.iso | fr | |
| dc.title | Micro-caractérisation de matériaux et composants via les dispersions fréquentielles | |
| dc.type | Thesis | |
| dspace.entity.type |