Etude des propriétés électroniques des semi-conducteurs amorphes par les photo-courants transitoires
No Thumbnail Available
Date
2015
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Abstract
Les propriétés électroniques des matériaux amorphes sont considérablement affectées
par la forme de la densité des états localisés dans la bande interdite. Pour le cas des matériaux
semi-conducteurs amorphes à résistance élevée, la technique expérimentale de la
photoconductivité transitoire (TPC) est une technique de choix pour explorer cette densité. Le
but de ce travail est d’élaborer un code numérique permettant de calculer la densité d’états à
partir du spectre de la photoconductivité transitoire dans le cadre du modèle de conduction par
piégeage multiple, ou de prévoir les courants (TPC) en admettant une densité d’états, et ceci
en utilisant la technique de Laplace puis l’utilisation de ce code dans des études en cours sur
les chalcogénures.
Le régime transitoire est simulé par la résolution numérique des équations de
continuité et les équations de piégeage multiple, en considérant les conditions de la technique
de la photoconductivité transitoire (TPC). Ainsi, l’objectif de ce travail, est en grande partie
validé par l’élaboration d’un code en utilisant le logiciel MATHCAD. La forme de la densité
d’états est bien déterminée pour les cas suivants: le sélénium (a-Se) pur, et le sélénium dopé
avec l’arsenic.