Investigation des propriétés électriques et élastiques des semi-conducteurs à large gap: SiC
| dc.contributor.author | GUERNOUB, Souheyr | |
| dc.date.accessioned | 2026-07-23T10:05:04Z | |
| dc.date.available | 2026-07-23T10:05:04Z | |
| dc.date.issued | 15-07-2026 | |
| dc.description.abstract | Dans ce travail, un programme de simulation basé sur la microscopie acoustique à balayage (SAM) a été utilisé comme méthode non destructive pour déterminer les paramètres élastiques des polytypes du carbure de silicium (SiC): 3C, 10H, 8H, 6H et 4H-SiC. Des relations ont été établies entre les modules élastiques et les gaps de bande indirects (Eg) à partir d’une étude détaillée des modules de Young (E), de compressibilité (B) et de cisaillement (G) en fonction de l’énergie du gap de bande. L’influence du pourcentage d’hexagonalité (h) a ensuite été examinée sur les caractéristiques du coefficient de réflexion R(θ) et les signatures acoustiques V(z), notamment les angles critiques, les périodes spatiales, les spectres FFT et les vitesses acoustiques (VL, VT, et VR). L’analyse a également pris en compte les variations des modules élastiques et de l’énergie du gap de bande indirect. Les résultats montrent que l’énergie du gap de bande indirecte ainsi que les paramètres élastiques et acoustiques augmentent avec le pourcentage d’hexagonalité (h), tandis que les angles critiques (θL, θT, et θR) diminuent. Ces tendances peuvent être décrites par des relations semi- mpiriques de la forme F(h) = ±αh + β, mettant en évidence une corrélation quasi linéaire entre les propriétés élastiques des polytypes de SiC et leur pourcentage d’hexagonalité. Dans l’ensemble, cette étude apporte une contribution théorique à la compréhension et au développement des polytypes de SiC pour des applications technologiques avancées. L’effet du pourcentage d’hexagonalité (h) a été examiné sur le coefficient de réflexion R(θ) et sur les signatures acoustiques V(z) (angles critiques, périodes spatiales, spectres FFT et vitesses des ondes acoustiques VL, VT, et VR), ainsi que sur les modules élastiques et l’énergie du gap de bande indirecte. Les résultats montrent que l’énergie du gap de bande indirecte et les paramètres élastiques augmentent avec l’hexagonalité, tandis que les angles critiques diminuent. | |
| dc.format | ||
| dc.identifier.uri | https://dspace.univ-annaba.dz//handle/123456789/4807 | |
| dc.language.iso | fr | |
| dc.publisher | Université Badji Mokhtar Annaba | |
| dc.subject | carbure de silicium (SiC) ; polytypes ; pourcentage d’hexagonalité ; propriétés élastiques ; énergie de gap de bande ; vitesses acoustiques ; angles critiques | |
| dc.title | Investigation des propriétés électriques et élastiques des semi-conducteurs à large gap: SiC | |
| dc.type | Thesis |