Investigation des Effets de la Basse Dimensionnalité sur les Paramètres Energétiques et Acoustiques de Nano-Semiconducteurs
| dc.contributor.author | Linda ACHOU | |
| dc.date.accessioned | 2023-03-02T08:44:30Z | |
| dc.date.available | 2023-03-02T08:44:30Z | |
| dc.date.issued | 2016 | |
| dc.description.abstract | Cette thèse a pour objectif d'étudier et modéliser les effets de la basse dimensionnalité sur les paramètres énergétiques et acoustiques de nano-semiconducteurs. Elle est constituée essentiellement de deux parties distinctes. La première partie correspond à l’étude théorique des nano-clusters de Silicium, Germanium, Etain, Plomb, Carbone, Or, Argent et Cuivre (Sin, Gen, Snn, Pbn, Cn, Aun, Agn, Cun), avec n = [2-10[ atomes. Nous avons déterminé des relations analytiques reliant l’énergie de liaison aux nombres d’atomes, n. Nos modèles théoriques sont en bon accord avec les valeurs expérimentales disponibles. La deuxième partie a porté essentiellement sur l’analyse de l’influence des diamètres nanométriques sur certains paramètres élastiques-acoustiques (constantes élastiques, vitesses et impédances acoustiques, coefficients de réflexion, signatures acoustiques, etc.) de nanofils de : (i) ZnO et (ii) SiC/SiO2. Nous avons établis des approches prédictives des constantes acoustiques en fonction du diamètre nanométrique puis nous avons comparé le comportement nanomécanique avec celui macromécanique. On a pu déduire les résultats suivants: L'énergie de liaison par atome augmente avec l’augmentation de nombre d’atomes de nano cluster (Sin, Gen, Snn, Pbn, Cn, Aun, Agn, Cun) selon les relations suivantes: (Eb)Si = 3.73 – 6.29 exp (-nSi /2.03) (Eb)Ge = 3.25 – 5.65 exp (-nGe /1.83) (Eb)Sn = 2.56 – 4.35 exp (-nSn /1.88) (Eb)C = 5.71 – 12.53 exp (-nC /1.28) (Eb) Pb = 2.19 – 3.35 exp (-nPb /2.37) (Eb)Au = 2.39 – 3.86 exp (-nAu /2.24) (Eb)Ag = 1.94 – 4.02 exp (-nAg /1.52) (Eb)Cu = 2.52 – 3.68 exp (-nCu /3.15) Les propriétés élastiques A (E, G, B, VL, VT, VR, θ L, θ T, θ R) de ZnO nano-fils diminuent avec l'augmentation du diamètre dans le cadre de la relation: A = a + b exp(-Dn-fil/c) Les propriétés élastiques A (E, G, B, VL, VT, VR, θ L, θ T, θ R, ZL, ZT, Zsol.) des nano-fils de SiC/SiO2 augmentent avec l’augmentation du diamètre nanométrique de la manière suivante: A = α D 2 n-fil +β Dn-fil +C | |
| dc.identifier.uri | https://dspace.univ-annaba.dz//handle/123456789/2138 | |
| dc.language.iso | fr | |
| dc.title | Investigation des Effets de la Basse Dimensionnalité sur les Paramètres Energétiques et Acoustiques de Nano-Semiconducteurs | |
| dc.type | Thesis | |
| dspace.entity.type |