Étude Des Caractéristiques des MESFETs en Relation avec L’Effet Photonique
| dc.contributor.author | Amal GUERRAOUI | |
| dc.date.accessioned | 2023-03-02T09:51:03Z | |
| dc.date.available | 2023-03-02T09:51:03Z | |
| dc.date.issued | 2016 | |
| dc.description.abstract | Le transistor à effet de champs à barrière Schottky, MESFET, est un dispositif de base dans plusieurs circuits fonctionnant en hyperfréquence comme les télécommunications mobiles. Ce composant éclairé, appelé également OPFET, manifeste une grande importance, en raison de ses capacités d’utilisation comme photo-détecteurs, oscillateurs, mixeur optoélectroniques, etc. C’est ainsi que nous nous sommes intéressés, dans ce travail, à l’étude de l’influence de la densité d’énergie optique sur les caractéristiques d’un OPFET GaAs. Pour se faire, nous avons développé un logiciel de simulation faisant intervenir une approche basée essentiellement sur les phénomènes physiques régissant les MESFETs. Cet outil permet la résolution des équations nécessaires aux investigations ainsi que l’édition des résultats sous forme numérique et graphique. L’influence de plusieurs paramètres: densité optique, dopage du canal conducteur, épaisseur de la zone active, etc. sur la tension de blocage a été étudiée. Les résultats ont permis de déterminer l’évolution du courant de sortie en fonction de la tension d’entrée à différentes densités optiques permettant ainsi la détermination de la tension de blocage apparente introduite par l’effet optique. Une relation universelle, très importante dans la prédiction de la tension apparente de blocage d’un OPFET, a été établie. Également, une étude détaillée de l’influence de la densité optique sur la conductance de sortie, GD, en relation avec la polarisation et les propriétés de structure de l’OPFET a été menée. Le modèle proposé permet la détermination des variations de GD en fonction de : la longueur de grille, la largeur de la zone de déplétion, le dopage de la zone active, l’épaisseur du canal et la densité des pièges. Certains résultats, nous paraissent devoir plus particulièrement être mis en évidence: (i) la réduction de la largeur de la zone de charges d’espace conduit à l’augmentation de la conductance de sortie, (ii) la diminution de la longueur de grille et la densité surfacique des pièges augmentent la conductance de sortie et (iii) l’augmentation de la largeur du canal, de la largeur de grille et du dopage augmentent GD. Enfin, la comparaison des résultats obtenus avec la littérature a montré un bon accord. | |
| dc.identifier.uri | https://dspace.univ-annaba.dz//handle/123456789/2149 | |
| dc.language.iso | fr | |
| dc.title | Étude Des Caractéristiques des MESFETs en Relation avec L’Effet Photonique | |
| dc.type | Thesis | |
| dspace.entity.type |