Etude et élaboration du composé à structure chalcopyrite CuIn1-xGaxSe2 destiné à la fabrication des cellules solaires
| dc.contributor.author | Souheyla GAGUI | |
| dc.date.accessioned | 2023-02-28T12:47:45Z | |
| dc.date.available | 2023-02-28T12:47:45Z | |
| dc.date.issued | 2016 | |
| dc.description.abstract | Le travail présenté dans cette thèse rentre dans le cadre du développement des composés à structure chalcopyrite CuInSe2, CuGaSe2 et Cu(In,Ga)Se2 destinés à des applications photovoltaïques. Des lingots de CuIn1-xGaxSe2 ont été élaborés et l’influence de la proportion de gallium sur les propriétés structurales, optiques et électriques du quaternaire Cu(In,Ga)Se2 a été étudiée. Les lingots obtenus après élaboration présentent une bonne morphologie. Des analyses par diffraction de rayons X ont montré que les lingots élaborés sont poly-cristallins et de structure chalcopyrite. L’orientation préférentielle suivant le plan (112) qui est très indiquée pour la conversion photovoltaïque a été obtenue. Les principaux pics de diffraction de rayons X ont montré une évolution de leurs angles de diffraction, qui croient avec l’augmentation de la proportion de gallium. D'autre part, les paramètres de maille "a" et "c" ont été calculés à partir des spectres de rayons X et se sont avérés diminuer avec l'augmentation de la proportion de gallium. En outre, le rapport "c/a" calculé à partir des paramètres de maille "a" et "c" a été trouvé proche de deux pour toutes les proportions de gallium. La taille des cristallites calculée par l'équation Scherrer était trouvée de l'ordre de 592 à 692 Å. Les résultats obtenus par spectrophotomètre "Cary 5000 (UV-Vis-NIR)" ont montré que la largeur de la bande interdite Eg croit avec l’augmentation de la proportion de gallium. Les caractérisations par mesures d’effet Hall "HMS3000" à la température ambiante ont montré que les lingots élaborés ont une conductivité de type p et sont de plus en plus résistifs lorsque la proportion de gallium augmente (6.41 à 32.64 Ωcm) avec une valeur minimale de 0.67 Ωcm pour x = 0.4. Finalement, on peut en déduire que l’élaboration d’un quaternaire de Cu(In,Ga)Se2 avec une proportion de gallium à hauteur de 40% par rapport à l’indium, permet l’obtention d’un gap optimal de 1.25 eV et une meilleure conductivité. Par suite, l’absorption des photons va se trouver améliorée et les porteurs minoritaires vont pouvoir circuler beaucoup plus facilement à l’intérieur du matériau; ce qui se traduit par l’amélioration du rendement photovoltaïque des cellules solaires fabriquées à base de ce composé. | |
| dc.identifier.uri | https://dspace.univ-annaba.dz//handle/123456789/2116 | |
| dc.language.iso | fr | |
| dc.title | Etude et élaboration du composé à structure chalcopyrite CuIn1-xGaxSe2 destiné à la fabrication des cellules solaires | |
| dc.type | Thesis | |
| dspace.entity.type |