Contribution à l’étude des propriétés du silicium microcristallin
| dc.contributor.author | HAMIDA AYED | |
| dc.date.accessioned | 2023-02-27T10:38:36Z | |
| dc.date.available | 2023-02-27T10:38:36Z | |
| dc.date.issued | 2016 | |
| dc.description.abstract | le silicium microcristallin apparaît comme l’un des semi-conducteurs les plus prometteurs dans la technologie des cellules solaires en couche mince et des écrans vidéo plats. Deux types d’échantillons A et B ont été préparés avec la méthode PECVD et LPCVD respectivement :les échantillons (A) sont des couches minces de (µc-Si) déposées sur des substrats de verre à une tempèrature de 165°C. Les deuxièmes sont des diodes Schottky or silicium polycristallin (Au-Poly-Si) en couches mince. Dans le but d'améliorer les propriétés du silicium microcristallin on dilue le mélange gazeux (SiH4 et H2) avec l'argon. L’ajout d’argon (Ar) dans le procédé de dépôt PECVD améliore la cristallinité des couches, il engendre une transition de phase amorphe- microcristallin. Les résultats Raman ont montrés une meilleure amélioration de la cristallinité de la couche quand on augmente le débit d’argon. L’étude par spectroscopie IR à montré que l’hydrogène est lié au silicium par une liaison de type hydride (Si-H2) et mono-hydride (Si-H) aux environs de 2100 cm-1. Quand le débit d’argon croît, les défauts augmentent et le taux d’hydrogène qui passive les défauts diminue. Ce phénomène est attribué à l’augmentation de la fraction volumique de cristallites dans les couches. Par ailleurs, les diodes Schottky ont été réalisées avec succès. L’exploitation des courbes I-V nous a permis de déterminer les valeurs du facteur d’idéalité et de la hauteur de barrières qui sont égales respectivement à 1.34 et 0.74eV. Les mesures de la capacité (C) en fonction de la tension appliquée nous a permis également de calculer la concentration de dopage Nd près de l'interface. L’étude des défauts des diodes Au- poly Si a été réalisée par l’admittance spectroscopie. Cette technique a révélé la présence de cinq niveaux profonds se comportant comme pièges dans la diode Schottky. L’exploitation des courbes d’Arrhenius nous ont aidés à calculer l’énergie des pièges qui est égale à 0.46 eV. Cet état est attribué au niveau donneur de l’or qui se produit de la diffusion des atomes d’or (Au) du contact métallique mentionné précédemment. Des futurs travaux utilisés pour la mesure du profil d’or qui doit être effectués pour vérifier la diffusion de l’or. | |
| dc.identifier.uri | https://dspace.univ-annaba.dz//handle/123456789/2097 | |
| dc.language.iso | fr | |
| dc.title | Contribution à l’étude des propriétés du silicium microcristallin | |
| dc.type | Thesis | |
| dspace.entity.type |