Mémoires de Magistère

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Browsing Mémoires de Magistère by Author "BENZAROUK Hayet"

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    Synthèse d’un oxyde transparent conducteur (OTC) par pulvérisation chimique (ZnO, NiO)
    (2008) BENZAROUK Hayet
    L’objectif de notre travail est la préparation de deux types d’oxydes transparents conducteurs (OTC) utilisés dans les cellules solaires en couches minces obtenues par pulvérisation chimique (Spray pyrolysis).  Les couches minces d’oxyde transparent conducteur type n de ZnO.  Les couches minces d’oxyde transparent conducteur type p de NiO. Nous avons étudiés l’impact des variations des divers paramètres de dépôt (température du substrat, la concentration du solution précurseur, traitement thermique et temps de dépôt) sur les propriétés optiques (transparence), électriques (conductivité) et structurales (texture, paramètres cristallin, taille des grains, effet de contrainte, microstructure de la surface) des couches de ZnO, NiO Nous avons déposé des couches minces de l’oxyde de zinc sur des substrats en verre portés à une température varies entre 240°C-410°C pour quatre molarités différentes (0.1-0.2-0.3-0.4)M/L de la solution précurseur (ZnCl2-H2O), et pour l’oxyde de nickel la température du substrat varie entre 300°C-400°C avec deux molarités différentes (0.1- 0.2)M/L de (NiCl2-6H2O), et variation de temps de dépôt. Les films de ZnO subissent ensuite un traitement thermique à 320°C à l’air ambiant pendant 1heure dans un four. Après l’élaboration de nos couches, elles sont analysée par des différentes techniques de caractérisations (DRX, EDAX, quatre points, MEB, spectrophotomètre, profillomètre……). Pour la caractérisation des échantillons de NiO, nous nous sommes limités à une étude morphologique et électrique à température ambiante Toutes les couches synthétisées possèdent une structure cristallographique hexagonale compacte et présentent une orientation préférentielle suivant le plan (002), les paramètres cristallin a et c sont estimés de 3.20 Ǻ, 5.20 Ǻ respectivement. La largeur de la bande interdite est de l’ordre de 3.2eV.