Etude des propriétés structurales et électroniques des ternaires AgGaTe2 et AgInTe2 et leurs alliages
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Date
2018
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Abstract
Dans ce travail, nous présentons les résultats des propriétés structurales, électroniques,
optiques, élastiques et thermodynamiques des semi-conducteurs ternaires AgGaTe2 et
AgInTe2 et leurs alliages AgIn1-xGaxTe2 en utilisant la méthode FP-LAPW, basée sur la
théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT), dans le cadre de l'approximation GGA. Les
constantes du réseau à l'équilibre et le module de compressibilité pour les composés ternaires
ont été calculés. Les paramètres structuraux d'équilibre optimisés (a, c et u) sont en bon
accord avec les résultats disponibles. Les calculs des propriétés électroniques montrent que les
composés ternaires sont des semi-conducteurs à bande interdite directe. Nous avons modélisé
les alliages AgIn1-xGaxTe2 à certaines compositions sélectionnées avec des structures
ordonnées décrites en termes de supercellules répétées périodiquement. Les effets de la
concentration en fonction de la concentration (x) sur les paramètres du réseau, les modules de
compressibilité et les bandes interdites ont été étudiés. La stabilité thermodynamique de ces
alliages a été étudiée en calculant l'enthalpie de mélange ∆Hm ainsi que le diagramme de
phase température concentration.