Abid, Lamia2024-06-102024-06-102023https://dspace.univ-annaba.dz//handle/123456789/3520Le transistor SOIMESFET (Silicon On Insulator Metal Semi conductor Field Effect Transistor) possède des caractéristiques prometteuses qui le rendenttrès approprié pour de nombreuses applications.En effet, par modifications de sa structure classique, on peut améliorer ses performances DC et RF.Dans ce travail, nous proposons une nouvelle structure composée de(i) trois régions égales en forme de ? en Si de type n insérées dans la partie supérieure de l'oxyde enterré et (ii) une autre région, toujours en forme de ?, Si3N4/p-Si, positionnée au bord de la grille, côté drain.L'objectif principal de cette structure est de contrôler l'uniformité des lignes de champ électrique accumulé au bord de la grille du côté drain et d'optimiser certains importants paramètres tels que la tension de claquage, le courant de drain, les capacités grille-source et grille-drain, la densité de puissance de sortie maximale, etc.L'étude de cette nouvelle structure, Multi ?-SOI MESFET, et sa comparaison avec la structure conventionnelle,C-SOI MESFET ont été réalisées via des simulations numériques à 2D à l'aide du simulateur ATLAS de SILVACO.frThesis